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為什么球形二氧化硅是集成電路制造的“天選材料”?

發(fā)布時(shí)間 | 2021-07-08 14:43 分類(lèi) | 粉體應(yīng)用技術(shù) 點(diǎn)擊量 | 2321
氧化鎂 氧化硅 氧化鋁
導(dǎo)讀:集成電路在信息技術(shù)領(lǐng)域具有重要地位,受物聯(lián)網(wǎng)、新能源智能汽車(chē)、智能終端制造、新一代移動(dòng)通信等下游市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng),集成電路行業(yè)飛速發(fā)展。高頻、高功率的集成電路制造需要性能更加優(yōu)越的材料...

集成電路在信息技術(shù)領(lǐng)域具有重要地位,受物聯(lián)網(wǎng)、新能源智能汽車(chē)、智能終端制造、新一代移動(dòng)通信等下游市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng),集成電路行業(yè)飛速發(fā)展。高頻、高功率的集成電路制造需要性能更加優(yōu)越的材料以滿(mǎn)足產(chǎn)業(yè)升級(jí)的需求。

 

氧化硅的獨(dú)到之處

在硅芯片封裝過(guò)程中使用的各種材料包括引線框架材料、金屬引線以及封裝材料都必須具有相近的熱膨脹系數(shù),才能保證在使用過(guò)程中器件不開(kāi)裂脫落,而實(shí)際上環(huán)氧樹(shù)脂的熱膨脹系數(shù)比硅單晶芯片和引線、引線框架材料都大,所以在塑封料中加入適量低膨脹系數(shù)的填充劑,如SiO2等,可以降低固化物的熱膨脹系數(shù),從而減少塑封料固化后的收縮同時(shí)也可明顯改善材料的機(jī)械性能、熱穩(wěn)定性和體積電阻率,降低成本

各種封裝樹(shù)脂材料及半導(dǎo)體器件構(gòu)成材料的熱膨脹系數(shù)圖

 

以往覆銅箔板例如CEM3中運(yùn)用填料時(shí),多采用氫氧化鋁和氫氧化鎂但氫氧化鋁不耐熱沖擊200℃就開(kāi)始分解氫氧化鎂的價(jià)格偏貴二氧化硅填料用在覆銅箔板中更具有性能方面的優(yōu)勢(shì),而且價(jià)格與氫氧化鋁相當(dāng)。

 

以二氧化硅、氫氧化鋁、氫氧化鎂作填料的基材的性能比較表

類(lèi)型

二氧化硅

氫氧化鋁

氫氧化鎂

耐熱沖擊性(288℃/20s,室溫冷卻10s為一循環(huán))

9次循環(huán)

4次循環(huán)

6次循環(huán)

抗剝強(qiáng)度(常態(tài))

1.98N/mm

1.81N/mm

1.32N/mm

彎曲強(qiáng)度(常態(tài))

210.3MPa

192.8MPa

185.9MPa

玻璃化轉(zhuǎn)變溫度

135.3/137.4℃

131.8/132.4℃

127.5/128.2℃

熱膨脹系數(shù)(z向,T260)

229μm/m℃

253μm/m℃

247μm/m℃

介電常數(shù)(1MHz)

4.13

4.40

4.54

介電損耗角正切(1MHz)

0.0212

0.0225

0.0205

耐堿性

OK

白紋

OK

膠水旋轉(zhuǎn)粘度(20℃)

880

1340

1080

 

 

球形二氧化硅的優(yōu)勢(shì)

二氧化硅具有良好的介電性能、較低的熱膨脹系數(shù)等綜合性能,在環(huán)氧塑封料以及覆銅板中使用廣泛。二氧化硅的高填充可以降低成本、提高熱導(dǎo)率、降低熱膨脹系數(shù)、增加強(qiáng)度, 但是隨著填充量的增多, 體系粘度會(huì)急劇增加,材料的流動(dòng)性、滲透性變差, 二氧化硅在樹(shù)脂中的分散困難, 易出現(xiàn)團(tuán)聚的問(wèn)題。如何進(jìn)一步提高二氧化硅在材料中的填充,從而降低材料的熱膨脹系數(shù),環(huán)氧塑封料以及覆銅板行業(yè)研究的重要課題。

二氧化硅的形狀是決定填充量的重要因素之一。與熔融型(角形)二氧化硅相比,球形二氧化硅具有更高的堆積密度均勻的應(yīng)力分布,因此可增加體系的流動(dòng)性降低體系粘度

不同類(lèi)型二氧化硅的主要應(yīng)用性能比較表

環(huán)氧塑封料行業(yè)熔融型(角形)二氧化硅填充量一般低于總量的70%(重量比),采用球形二氧化硅后,填充量最高可達(dá)94%;在覆銅板行業(yè)熔融型(角形)二氧化硅填充量一般低于總量的40%,采用球形二氧化硅后,填充量最高可達(dá)60%。因此盡管球形二氧化硅價(jià)格較高,由于其特有的優(yōu)異性能,球形二氧化硅越來(lái)越被覆銅板行業(yè)所青睞。

火焰法球形二氧化硅生產(chǎn)技術(shù)主要掌握在日本、美國(guó)、韓國(guó)等國(guó)家手中, 特別是日本的球形二氧化硅生產(chǎn)技術(shù)一直處于世界領(lǐng)先水平。目前我國(guó)能夠生產(chǎn)高純球形二氧化硅、亞微米級(jí)球形二氧化硅的企業(yè)數(shù)量很少, 主要分布于江蘇連云港、安徽蚌埠、浙江湖州等地區(qū)。球形二氧化硅是集成電路封裝以及覆銅板的關(guān)鍵核心原材料, 關(guān)乎到國(guó)家的信息和國(guó)防安全,其重要性不容忽視

國(guó)內(nèi)外球形二氧化硅生產(chǎn)廠家

隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展,對(duì)材料的性能要求也不斷提高,球形二氧化硅由于填充量高、流動(dòng)性好、熱膨脹系數(shù)小、應(yīng)力小、介電性能優(yōu)異等特點(diǎn),符合集成電路行業(yè)發(fā)展的需要。隨著國(guó)內(nèi)球形二氧化硅生產(chǎn)技術(shù)水平的不斷提升,產(chǎn)品價(jià)格的進(jìn)一步降低,球形二氧化硅在集成電路中的應(yīng)用有望進(jìn)一步擴(kuò)展,從而帶動(dòng)集成電路性能和技術(shù)的提升。

 

參考來(lái)源:

[1] 球形二氧化硅在覆銅板中的應(yīng)用,柴頌剛、劉潛發(fā)、曾耀德、李曉冬、曹家凱。

[2] SiO2形貌及粒徑對(duì)聚烯烴復(fù)合樹(shù)脂介電特性的影響研究,張芳芳。

[3] 二氧化硅在覆銅板中的應(yīng)用,楊艷、曾憲平。

[4] 硅芯片封裝用球形SiO2與環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料的制備工藝與性能研究,艾常春。

 

 

粉體圈 小鄭


作者:粉體圈

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