日前，據柏林費迪南德-布朗恩高頻技術研究所（FBH）消息，德國聯邦教育和研究部將在2023年之前出資330萬歐元，用于推動由FBH領導并集合了包括弗勞恩霍夫（Fraunhofer）等研究機構和高校在內參與的“基于氮化鋁的功率晶體管” 聯合項目。
早期項目的氮化鋁緩沖開關晶體管
該項目旨在開發氮化鋁ALN作為新的半導體材料，包括對其進行測試和完成系統應用集成等在內的工作。而開展這項研究的初衷則是提升資源利用效率。據相關統計數據顯示，僅在歐洲，由于數據系統越來越多的應用，電能轉換過程中的損耗每年超過3萬億瓦時。因此，能源高效轉換成為人工智能和工業4.0等第四次工業革命成功的關鍵。實現這一點的先決條件是高功率半導體。
功率損耗由相應材料決定。基于較為成熟的氮化鎵技術，與目前通用的半導體襯底材料碳化硅、藍寶石、硅片相比，氮化鋁的相關研究非常少。但是它本身具有一極高的擊穿強度和熱導率，理論傳導損耗比硅小10000倍，位錯密度比碳化硅低5個數量級，這些潛力也給該項研究提供了足夠理由。
整個價值鏈包括從氮化鋁晶圓再到毫米波系統和電子電力系統，其中FBH主要負責氮化鋁元件設計和開發；弗勞恩霍夫負責氮化鋁晶體生長和晶圓制備；其余參與者還有勃蘭登堡理工大學、柏林理工大學、弗里德里希亞歷山大大學紐倫堡分校等等。
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作者：粉體圈
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