相較于傳統硅基半導體，碳化硅展現出更強的高壓耐受性、更優的高溫穩定性以及更低的能量損耗，不僅可將電機系統能耗降低20-30%，還使器件體積縮減50%左右，如今正加速應用于AR眼鏡、白色家電、低空飛行器高功率電機等高效節能場景，市場需求呈爆發式增長。據預測，2026年全球碳化硅器件市場規模將突破100億美元。不過，由于制程復雜、成品率問題較高，其價格通常是硅基IGBT的3-5倍甚至更高。在本次的中國粉體工業萬里行中，我們實地探訪了紹興晶彩科技有限公司（以下稱“晶彩科技”），這家作為國內極少數實現半導體級碳化硅粉體從亞微米至毫米級全粒度覆蓋的企業，正以其獨特的原位合成高純碳化硅粉體技術，從原料端為破解碳化硅半導體產業面臨的成品率難題提供切實可行的解決方案。

據介紹，“晶彩科技”由張博士和李博士創立于2018年，但兩位創始人早在創業前就在高純硅烷領域以及人工晶體生長領域積累了超過20年的深厚技術底蘊。面對當時尚未規模化的第三代半導體市場，他們敏銳捕捉到高純碳化硅粉體國產化的行業空白。依托此前的技術積累，團隊將研發方向延伸至下游材料領域，成功自主研發“原位合成高純碳化硅多晶粉體技術”。與此同時，晶彩科技與國內頂尖高校展開聯合技術攻關，建立了高純碳化硅粉體材料研發及檢測中心以及超高純碳化硅粉料生產基地，逐步構建起一個覆蓋半導體全制程的高純碳化硅材料解決方案平臺。

在傳統的碳化硅粉體生產技術中，作為原料的碳粉和硅粉，以及生產后的研磨階段，難免會引入雜質，產品普遍面臨純度瓶頸。晶彩科技自研的“原位合成高純碳化硅粉體技術”創新采用液態高純硅烷作為原料，通過設計、調控官能團的種類、數量等，可以直接合成高純度碳化硅晶粒，實現純度4-7N級、粒徑亞微米至毫米級以及晶型結構（α相或β相）的精準調控。得益于此，晶彩科技在2018年成立當年即成為了國內首家全粒度半導體級碳化硅粉體規模化生產企業，產品得到了客戶驗證，并斬獲國家發明專利10余項。為擴展產品應用，公司于2019年成功開發了半絕緣型與導電型等多類型碳化硅粉體，并在2021-2022間，實現高純碳化硅粉的年產量達到了20噸的年產規模，其中生產的碳化硅多晶粉料成功應用在8英寸碳化硅襯底生長。

如今，“晶彩科技”已有一大批具有超高純度(7N及以上)、粒徑尺寸及均一性、晶型一致性的優質產品投入批量生產，產品矩陣聚焦半導體級高純碳化硅多晶粉、高純碳化硅陶瓷粉兩大產品主線，應用深度覆蓋第三代半導體全產業鏈。此外，也為5G電子器件提供專用的熱管理材料導熱填料。

1、半導體級碳化硅多晶粉

公司生產的半導體級碳化硅多晶料，產品純度可達6N和6.8N兩個級別，粒徑可實現百微米到毫米級的精準控制，不同氮含量類型多晶粉料分別適用于導電型和半絕緣型晶體生長需求。

產品參數（支持非標定制）

半絕緣型半導體級碳化硅多晶粉產品型號

導電型半導體級碳化硅多晶粉大顆粒（左）及小顆粒（右）產品型號

2、高純碳化硅陶瓷粉

主要用于制備半導體制程中的精密陶瓷件，為光刻機、等離子刻蝕設備、薄膜沉積設備、離子注入設備、集成電路和新設備提供專用組件。目前公司主要生產3C晶型高純碳化硅粉(3C-SiC）以及重結晶制品用高純碳化硅粉（R-SiC）。

（1）3C-SiC：產品粒徑覆蓋百微米級、微米級、亞微米級，產品純度可實現4N-6N調控，產品具有純度高、粒徑均一、體積分數高、高結晶度等優點，可用于熱壓燒結、常壓燒結、熱等靜壓燒結等工藝生產碳化硅制品。

3C晶型高純碳化硅陶瓷粉產品類型

（2）重結晶制品用高純碳化硅微粉（Rs100系列和Rs07系列）

Rs100系列產品純度高、微觀形貌呈均一六方形、表面光潔類球狀、粒徑分布集中，被廣泛用于半導體/光伏領域晶舟、爐管、爐腔配件等系列制品。

Rs100系列及相關參數

Rs07系列產品純度高、流動性好、粒度分布合理，經過不同改性劑后的粉體親水性好，固含量高，是注漿工藝以及擠出成型工藝的必備原料。

Rs07系列及相關參數

3、5G/6G大功率芯片熱界面材料（電子級SiC）

主要在導熱硅膠、導熱凝膠、導熱墊片等熱界面材料中作為導熱填料，粒徑可在亞微米級和微米級調節。

小結

第三代半導體碳化硅（SiC）市場持續高速增長，行業的提質增效迫在眉睫。晶彩科技精準鎖定碳化硅半導體國產化的戰略缺口，確立了"專注半導體制程碳化硅解決方案"的定位，利用原位合成高純碳化硅粉體技術，實現了純度、粒徑、晶型結構的靈活調控，為碳化硅單晶生長及配套精密陶瓷部件提供優質的原材料支撐。面向未來的產業需求，晶彩科技計劃將半導體級多晶粉的年產能從300噸擴產至1200噸，將高純陶瓷粉的年產能從200噸擴產至1000噸，為國內碳化硅半導體產業加速發展提供重要支撐。

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