在一些粉體應(yīng)用領(lǐng)域，大顆粒是最忌諱的存在，它往往直接導(dǎo)致生產(chǎn)、加工等作業(yè)的失敗。比如傳統(tǒng)涂料行業(yè)，大顆粒直接造成涂層麻點(diǎn)，流平性不足，而刮板細(xì)度計(jì)是行業(yè)找出大顆粒的有效工具，它通過(guò)刮刀刮過(guò)楔形槽形成薄膜，顆粒突出于薄膜表面后計(jì)算對(duì)應(yīng)槽深來(lái)計(jì)算顆粒粒徑。但其測(cè)量下限是微米級(jí)，面對(duì)精度要求更高的亞微米和納米級(jí)別粉體時(shí)，顯然需要下限和精度更高的裝備。

半導(dǎo)體集成電路制程中，拋光液中磨粒粒徑精準(zhǔn)控制是保障薄膜沉積均勻性、刻蝕精度及器件可靠性的關(guān)鍵，其尺寸與分布直接影響電路線(xiàn)條分辨率、界面結(jié)合力及芯片良率。基于差示離心沉降原理的CPS納米粒度分析儀不僅能夠測(cè)量0.005um到75um范圍的粒度，而且可以分辨只有1%的顆粒差異分布——這樣的顆粒精細(xì)區(qū)分能力彌補(bǔ)了諸多傳統(tǒng)檢測(cè)的不足。

CMP拋光液是半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)產(chǎn)替代最難啃的硬骨頭之一，而難度主要就集中在磨料的粒度均勻性上，其對(duì)于大顆粒的敏感程度也是當(dāng)前工業(yè)領(lǐng)域最高的，異常大顆粒或團(tuán)聚都可能導(dǎo)致拋光不均或劃傷，必須杜絕。CPS納米粒度分析儀是如何做到快速、靈敏和超高分辨率的呢，具體又如何利用它來(lái)進(jìn)行單分散磨料工藝開(kāi)發(fā)，復(fù)合漿料配比優(yōu)化呢，它可以結(jié)合哪些技術(shù)和裝備構(gòu)建完整的CMP拋光液表征體系呢？

定于2025年7月24-25日在東莞喜來(lái)登大酒店舉辦2025年全國(guó)精密研磨拋光材料及加工技術(shù)發(fā)展論壇（第三屆），儒亞科技（北京）有限公司黨金貴經(jīng)理將帶來(lái)題為“半導(dǎo)體集成電路中多峰樣品及寬分布樣品粒徑測(cè)量技術(shù)探討”的報(bào)告，重點(diǎn)進(jìn)行半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域拋光液中的多峰樣品和寬粒徑分布樣品做出不同技術(shù)的對(duì)比，并分享CPS納米粒度儀的其他應(yīng)用解決方案。

報(bào)告人簡(jiǎn)介

黨金貴，江南大學(xué)碩士，現(xiàn)任儒亞科技（北京）有限公司銷(xiāo)售經(jīng)理。深耕粒度分析理論與實(shí)踐多年，專(zhuān)注粉體納米粒度表征技術(shù)，曾為卡博特、巴斯夫、安集微電子、湖北鼎龍股份、上海新陽(yáng)等行業(yè)龍頭企業(yè)提供特殊粒徑應(yīng)用解決方案并開(kāi)展技術(shù)分享，在納米材料領(lǐng)域形成獨(dú)到專(zhuān)業(yè)見(jiàn)解。

東莞拋光論壇會(huì)務(wù)組