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儒亞科技:半導體集成電路中多峰樣品及寬分布樣品粒徑測量技術探討(報告)

發布時間 | 2025-07-09 16:50 分類 | 行業要聞 點擊量 | 463
論壇 磨料 涂料 粒度儀 納米材料
導讀:定于2025年7月24-25日在東莞喜來登大酒店舉辦2025年全國精密研磨拋光材料及加工技術發展論壇(第三屆),儒亞科技(北京)有限公司黨金貴經理將帶來題為“半導體集成電路中多峰樣品及寬分布樣品...

在一些粉體應用領域,大顆粒是最忌諱的存在,它往往直接導致生產、加工等作業的失敗。比如傳統涂料行業,大顆粒直接造成涂層麻點,流平性不足,而刮板細度計是行業找出大顆粒的有效工具,它通過刮刀刮過楔形槽形成薄膜,顆粒突出于薄膜表面后計算對應槽深來計算顆粒粒徑。但其測量下限是微米級,面對精度要求更高的亞微米和納米級別粉體時,顯然需要下限和精度更高的裝備。

半導體集成電路制程中,拋光液中磨粒粒徑精準控制是保障薄膜沉積均勻性、刻蝕精度及器件可靠性的關鍵,其尺寸與分布直接影響電路線條分辨率、界面結合力及芯片良率。基于差示離心沉降原理的CPS納米粒度分析儀不僅能夠測量0.005um到75um范圍的粒度,而且可以分辨只有1%的顆粒差異分布——這樣的顆粒精細區分能力彌補了諸多傳統檢測的不足。

CMP拋光液是半導體行業國產替代最難啃的硬骨頭之一,而難度主要就集中在磨料的粒度均勻性上,其對于大顆粒的敏感程度也是當前工業領域最高的,異常大顆?;驁F聚都可能導致拋光不均或劃傷,必須杜絕。CPS納米粒度分析儀是如何做到快速、靈敏和超高分辨率的呢,具體又如何利用它來進行單分散磨料工藝開發,復合漿料配比優化呢,它可以結合哪些技術和裝備構建完整的CMP拋光液表征體系呢?

定于2025年7月24-25日在東莞喜來登大酒店舉辦2025年全國精密研磨拋光材料及加工技術發展論壇(第三屆),儒亞科技(北京)有限公司黨金貴經理將帶來題為“半導體集成電路中多峰樣品及寬分布樣品粒徑測量技術探討”的報告,重點進行半導體集成電路領域拋光液中的多峰樣品和寬粒徑分布樣品做出不同技術的對比,并分享CPS納米粒度儀的其他應用解決方案。

報告人簡介


黨金貴,江南大學碩士,現任儒亞科技(北京)有限公司銷售經理。深耕粒度分析理論與實踐多年,專注粉體納米粒度表征技術,曾為卡博特、巴斯夫、安集微電子、湖北鼎龍股份、上海新陽等行業龍頭企業提供特殊粒徑應用解決方案并開展技術分享,在納米材料領域形成獨到專業見解。

 

東莞拋光論壇會務組

作者:粉體圈

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