Fujimi用于硅和碳化硅晶圓納米級(jí)拋光的氧化鋁、二氧化硅基拋光液在全球擁有超過(guò)八成市場(chǎng)占有率，粉體圈曾有專(zhuān)文詳細(xì)介紹。停下腳步吃老本不是企業(yè)經(jīng)營(yíng)之道，F(xiàn)ujimi經(jīng)過(guò)多年業(yè)務(wù)精進(jìn)和拓展，致力于將自身的材料開(kāi)發(fā)優(yōu)勢(shì)和在全球20個(gè)生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)所形成的供應(yīng)系統(tǒng)打造出半導(dǎo)體晶圓加工的一站式解決方案——包括從前序到后段的工藝材料，從尖端到非尖端的豐富產(chǎn)品陣容。本文就來(lái)對(duì)這些產(chǎn)品系列進(jìn)行盤(pán)點(diǎn)。

一、光致抗蝕劑（Photoresist）

在光刻工藝中，在晶圓上繪制電路圖案的材料。基本原理是它在曝光過(guò)程中對(duì)光敏感，從而發(fā)生化學(xué)變化，使得在顯影過(guò)程中能夠形成特定的圖案。具體流程是將光致抗蝕劑被涂覆在基底（如硅晶圓）上后，通過(guò)特定波長(zhǎng)的光進(jìn)行曝光——曝光通常是在掩模（mask）的幫助下進(jìn)行的，掩模上有預(yù)設(shè)的圖案。曝光之后，抗蝕劑層經(jīng)過(guò)顯影，顯影液會(huì)溶解掉受光影響的不同部分（取決于正性還是負(fù)性抗蝕劑），最終在基底上留下所需的圖案。

所謂正性即抗蝕劑受到光照射后，其被曝光部分會(huì)變得可溶于顯影液，而在未曝光部分則保持不溶狀態(tài)（顯影過(guò)程中，曝光部分會(huì)被溶解掉，留下未曝光部分作為掩模）；負(fù)性在曝光后，被光照的部分會(huì)交聯(lián)或硬化，變得更加難以溶解（未曝光的部分被去除，而曝光部分保留下來(lái)，形成掩模）。

光刻是半導(dǎo)體晶圓加工中的前序工藝

產(chǎn)品陣容

隨著微電子器件向更小尺寸的發(fā)展，光致抗蝕劑也要滿(mǎn)足更高分辨率和更精細(xì)特征尺寸的需求。這包括提高抗蝕劑材料的靈敏度、穩(wěn)定性和圖案分辨率，以及探索新的曝光技術(shù)如極紫外光刻（EUV）、電子束光刻等。FUJIMI對(duì)應(yīng)不同需求開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品包括——

ArF（193nm）：特別為193納米波長(zhǎng)光源設(shè)計(jì)，以其較短波長(zhǎng)可做到精細(xì)的線(xiàn)寬控制，實(shí)現(xiàn)高精度圖案轉(zhuǎn)移，主要用于深紫外（DUV）光刻工藝——例如，華為的麒麟990 5G芯片就采用了先進(jìn)的7nm EUV光刻工藝，其中ArF光刻膠發(fā)揮了重要作用。

KrF（248nm）：為248納米波長(zhǎng)光源設(shè)計(jì)，主力產(chǎn)品，能夠提供比更長(zhǎng)波長(zhǎng)的光刻技術(shù)更高的分辨率，但又比更短波長(zhǎng)的ArF（193nm）技術(shù)更為成熟和成本效益更高。

i線(xiàn)?g線(xiàn)?廣帶域：i線(xiàn)（365 nm）、g線(xiàn)（436 nm），該系列能夠應(yīng)對(duì)從0.30微米以下至超過(guò)1.0微米分辨率的要求，適用于中波紫外線(xiàn)范圍內(nèi)廣泛應(yīng)用，表現(xiàn)出良好的化學(xué)穩(wěn)定性，保證了圖案質(zhì)量的一致性。

負(fù)性聚異戊二烯：一種基于聚異戊二烯聚合物的負(fù)型抗蝕劑，在曝光過(guò)程中，聚異戊二烯基抗蝕劑中的某些鏈段會(huì)經(jīng)歷交聯(lián)反應(yīng)而變硬，不再溶于常規(guī)的顯影液。特點(diǎn)是有突出的粘附性和耐熱性，在很多應(yīng)用中不可或缺。

電子束光刻（Electron Beam Lithography, EBL）：使用電子而不是光子來(lái)曝光抗蝕劑，因此它能夠?qū)崿F(xiàn)比光學(xué)光刻更精細(xì)的特征尺寸，但是成本高，速度慢，通常用于研究和開(kāi)發(fā)階段，而非大規(guī)模生產(chǎn)。而這種工藝的抗蝕劑也不同于傳統(tǒng)光學(xué)抗蝕劑，F(xiàn)UJIMI有聚全氟乙丙烯（PMMA）正性成像和FEN負(fù)性成像兩大系列產(chǎn)品。

二、光刻輔材

光刻涉及多種化學(xué)輔助材料，以確保圖案化過(guò)程的準(zhǔn)確性和可靠性，比如顯影液，用于去除 (EBR)、返工、沖洗和預(yù)濕的高純?nèi)軇饪棠z剝離液等，這些溶劑廣泛包括超純水、異丙醇、丙酮等，避免污染。

光刻輔材主要用于清洗和去除

產(chǎn)品陣容

顯影劑（Developers）：FUJIMI產(chǎn)品分為含金屬離子顯影劑（MIC）、無(wú)金屬離子顯影劑（MIF）兩類(lèi)。其中，MIF適用于對(duì)金屬離子敏感的半導(dǎo)體器件制造，可以減少金屬殘留，提高器件性能；

邊緣去除 (EBR)：在光刻膠涂布過(guò)程中，晶圓邊緣可能會(huì)形成一層多余的光刻膠，稱(chēng)為邊緣珠；

返工（Re-working）：用于去除已曝光或未曝光的光刻膠，以便重新進(jìn)行光刻工藝；

沖洗（Rinsing）：在顯影或去膠之后，用于清洗晶圓表面，去除殘留的顯影液或光刻膠碎片，確保沒(méi)有化學(xué)殘留；

預(yù)濕（Pre-wetting）：顯影前用于濕潤(rùn)光刻膠表面，避免顯影液在光刻膠表面形成氣泡或斑點(diǎn)，從而影響顯影效果；

剝離劑（Stripper）：去除已完成光刻工藝后不再需要的光刻膠。

三、CMP漿料

針對(duì)復(fù)雜的集成電路層拋光和平坦化，不同用途和高選擇性（目標(biāo)材料）的漿料系列被開(kāi)發(fā)用于拋光的不同階段（需求），因此磨料的選擇、腐蝕劑的種類(lèi)以及添加劑的功能都是根據(jù)具體應(yīng)用需求精心配比的結(jié)果。

FUJIMI核心技術(shù)所在

產(chǎn)品陣容

銅去除：銅因其優(yōu)良的導(dǎo)電性能而在現(xiàn)代半導(dǎo)體器件中得到廣泛應(yīng)用，但銅會(huì)溢出和殘留（比如HBM的硅通孔銅互連）。銅去除CMP漿料通常包含磨料（如膠體二氧化硅）、腐蝕劑（如過(guò)氧化氫）、絡(luò)合劑（如氨水）以及其他添加劑；

阻擋金屬去除：銅層上方或下方的阻擋金屬如鉭（Ta）、鉭氮化物（TaN）、鎢（W）等，用于防止銅向介電層中擴(kuò)散。除了磨料，同樣需要適當(dāng)?shù)母g劑和添加劑；

鈷去除：鈷在某些先進(jìn)制程中用于替代傳統(tǒng)阻擋層或作為柵極材料，以提高器件性能。組成同上。

前端漿料：用于清除晶圓前端（即器件層）通常由硅、氮化硅、氧化硅等材料；

清潔劑：用于清除晶圓表面殘留的CMP漿料、磨料顆粒以及可能產(chǎn)生的腐蝕產(chǎn)物，通常包含表面活性劑、螯合劑、pH調(diào)節(jié)劑等成分。

四、薄膜形成材料、聚酰亞胺

用于形成低介電常數(shù)絕緣膜，聚酰亞胺作為緩沖涂層和再布線(xiàn)層，可保護(hù)成品芯片在背面研磨、分割和組裝過(guò)程中免受損壞，從而提高封裝產(chǎn)量、提高可靠性并延長(zhǎng)使用壽命。 

保護(hù)膜

產(chǎn)品陣容

光敏聚苯并惡唑（PBO）：PBO是一種有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性和機(jī)械性能的聚合物，除了半導(dǎo)體器件，還常用于航空航天工業(yè)。光敏PBO則結(jié)合了傳統(tǒng)PBO的優(yōu)點(diǎn)，并且改進(jìn)了顯影過(guò)程，使其更加環(huán)保和用戶(hù)友好。相比傳統(tǒng)的有機(jī)溶劑顯影更安全經(jīng)濟(jì)。

感光（非感光）性聚酰亞胺：這種高性能聚合物，具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性。感光產(chǎn)品用于需要高分辨率圖案化的場(chǎng)景，比如絕緣保護(hù)層；非感光產(chǎn)品有更高的機(jī)械強(qiáng)度，用于需要高耐用性的場(chǎng)景，比如柔性電路中作為基底材料。

小結(jié)

針對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高熱度，尤其AI的崛起，F(xiàn)UJIMI在日本和海外積極投資生產(chǎn)設(shè)施，擴(kuò)大半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)能力并促進(jìn)本地化生產(chǎn)。值得一提的是，日本貿(mào)易振興機(jī)構(gòu)JETRO表示，印度半導(dǎo)體相關(guān)市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在 2026 年增長(zhǎng)至640億美元（約10萬(wàn)億日元），約為2019年的三倍，F(xiàn)UJIMI據(jù)此正在加大印度市場(chǎng)的開(kāi)拓和服務(wù)力度。

粉體圈 啟東