7月17日，湖南省高校科技成果轉化工作推進大會暨“雙高”對接活動在株洲舉辦。清華大學謝志鵬教授團隊與湖南維尚科技有限公司在會上簽訂“功率半導體用氮化硅基板燒結裝備研制”項目合作協議。
項目現場簽約（圖片來源：人民網-湖南頻道）
電子電力器件的大功率、高頻化、高密度、集成化發展趨勢對陶瓷散熱基板提出了更高要求。氮化硅陶瓷的理論熱導率可達到200 W/(m·K)以上，且熱膨脹系數與芯片接近。因此，產業界將氮化硅陶瓷基板作為大規模或超大規模集成電路封裝的升級選項。此次項目合作開展功率半導體用氮化硅基板燒結裝備研制與先進科技成果轉化。
燒結工藝是氮化硅陶瓷基板生產的關鍵技術之一，氮化硅基板燒結受到溫度、氣氛、氣壓、溫度及氣氛均勻性等的綜合影響，過程極其復雜，極易出現外觀均勻性、尺寸均勻性變差、成品率降低等問題。針對國產原料及相應配方制定與之匹配的燒結工藝和燒結設備，需要系統開展燒結工藝研究。謝志鵬教授在會上接受采訪時提到，此次項目落地后，將會解決關鍵制品受制于人的局面。
粉體圈整理
作者：粉體圈
總閱讀量：718供應信息
采購需求
粉體圈首頁
