據交大新聞網1月5日報道，西安交大王宏興教授團隊采用微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）技術，成功實現2英寸異質外延單晶金剛石自支撐襯底的批量化制備。
2英寸異質外延單晶金剛石自支撐襯底照片
金剛石擁有眾多優異性能，采用金剛石襯底可研制高溫、高頻、大功率、抗輻照電子器件，克服器件的“自熱效應”和“雪崩擊穿”等技術瓶頸，在5G/6G通信，微波/毫米波集成電路、探測與傳感等領域發展起到重要作用。
王宏興教授擔任西安交大寬禁帶半導體材料與器件研究中心實驗室主任，具有自主知識產權的金剛石半導體外延設備研發、單晶/多晶襯底生長、電子器件研制等系列技術，已獲授權48項專利。與國內相關大型通信公司，中國電科相關研究所等開展金剛石半導體材料與器件的廣泛合作，促進了金剛石射頻功率電子器件、電力電子器件、MEMS等器件的實用性發展。
本次科研團隊通過對成膜均勻性、溫場及流場的有效調控，提高了異質外延單晶金剛石成品率。襯底表面具有臺階流（step-flow）生長模式，可降低襯底的缺陷密度，提高晶體質量，達到世界領先水平。
參考來源：交大新聞網
作者：粉體圈
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