據(jù)交大新聞網(wǎng)1月5日?qǐng)?bào)道，西安交大王宏興教授團(tuán)隊(duì)采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石自支撐襯底的批量化制備。

2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石自支撐襯底照片

金剛石擁有眾多優(yōu)異性能，采用金剛石襯底可研制高溫、高頻、大功率、抗輻照電子器件，克服器件的“自熱效應(yīng)”和“雪崩擊穿”等技術(shù)瓶頸，在5G/6G通信，微波/毫米波集成電路、探測(cè)與傳感等領(lǐng)域發(fā)展起到重要作用。

王宏興教授擔(dān)任西安交大寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究中心實(shí)驗(yàn)室主任，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的金剛石半導(dǎo)體外延設(shè)備研發(fā)、單晶/多晶襯底生長(zhǎng)、電子器件研制等系列技術(shù)，已獲授權(quán)48項(xiàng)專(zhuān)利。與國(guó)內(nèi)相關(guān)大型通信公司，中國(guó)電科相關(guān)研究所等開(kāi)展金剛石半導(dǎo)體材料與器件的廣泛合作，促進(jìn)了金剛石射頻功率電子器件、電力電子器件、MEMS等器件的實(shí)用性發(fā)展。

本次科研團(tuán)隊(duì)通過(guò)對(duì)成膜均勻性、溫場(chǎng)及流場(chǎng)的有效調(diào)控，提高了異質(zhì)外延單晶金剛石成品率。襯底表面具有臺(tái)階流（step-flow）生長(zhǎng)模式，可降低襯底的缺陷密度，提高晶體質(zhì)量，達(dá)到世界領(lǐng)先水平。

參考來(lái)源：交大新聞網(wǎng)