3月14日，三菱電機宣布，將增產高效節能的碳化硅（SiC）功率半導體。根據該計劃，三菱電機預計將響應快速增長的電動汽車 SiC 功率半導體需求，并擴大新應用市場，例如低能量損耗、高溫運行或高速開關等。
新的 8 英寸 SiC 晶圓廠圖
據悉，三菱電機計劃新增投資約1000億日元，將用于建設新的 8 英寸 SiC 晶圓廠和增強相關生產設施。新工廠將建在日本熊本縣，主要用于生產大直徑 8 英寸 SiC 晶圓，并通過引入具有最先進節能性能的潔凈室設備，實現高效率生產。同時，三菱電機還將加強其 6 英寸 SiC 晶圓的生產設施，以進一步擴大業務。
此外，三菱電機將新投資約100億日元用于新工廠，該工廠將整合目前分散在福岡地區的現有業務，用于功率半導體的組裝和檢查。集設計、開發、生產技術驗證于一體，將大大提升公司的開發能力，便于及時量產以響應市場需求。
三菱電機早在1994年就開始碳化硅技術的研發和應用，多年來他們已經率先將碳化硅技術應用在了家電、工業設備、軌道車輛等領域。而此次計劃建設新的產線，主要是為了進軍新能源汽車市場，同時還將使三菱電機為全球節能和脫碳的綠色轉型趨勢做出貢獻。
粉體圈整理
作者：粉體圈
總閱讀量：794供應信息
采購需求
粉體圈首頁
