氮化鎵是寬禁帶第三代半導體的代表之一，屬于鎵與氮的化合物，是實現超高效率元件的關鍵材料，因此半導體行業相當期待它的正式普及化。

近日有外媒報道，三菱化學與日本制鋼所合作研發的氮化鎵(GaN)單晶襯底技術，經確認結晶成長已達4寸，相關人員表示，原先評估量產要到2023年以后，但因開發狀況順利且超過預期，在將經大型實驗設備進行反覆驗證后，預計2022年初可量產并提前投入市場。

三菱4英寸GaN襯底

其實早在今年3月，三菱化學就曾透露他們已具備生產4英寸GaN單晶襯底的能力，并且正在開發6英寸的產品，而且晶體缺陷僅為普通GaN襯底的大約1/100-1/1000，“幾乎沒有缺陷”。之所以能做到這個地步，全靠一種聯合日本東北大學開發的獨特生長方法——“SCAAT(Super Critical Acidic Ammonia Technology)-LP”工藝，這項技術的好處是可制造大直徑、高質量和低成本的GaN襯底。

據悉，三菱化學生產線采用的是2021年5月剛竣工的全球最大規模GaN單晶襯底制造設備，比起試生產所用的設備，大型實證設備在規模上有大幅度的提升，因此可制造更大量的GaN襯底，預計有望在2030年度成長至數百億規模的大型事業。

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