11月11日，河北同光晶體有限公司和中國科學院半導體研究所就組建第三代半導體材料聯合研發中心簽訂戰略合作協議，第三代半導體材料聯合研發中心在保定·中關村創新中心舉行簽約暨揭牌儀式。中國科學院半導體研究所所長、中國科學院院士李樹深等，出席了簽約暨揭牌儀式。
據悉，河北同光晶體有限公司和中國科學院半導體研究所自開展合作以來，雙方共同承擔國家863 “大功率GaN電子器件用大尺寸SiC襯底制備及外延技術研究” 項目；在2013年底共同組建了“碳化硅單晶材料與應用研究聯合實驗室”；并且在2014年下半年研發出4英寸碳化硅晶片；在2015年初還多方共同成立了技術創新聯盟和院士工作站。
第三代半導體產業技術創新聯盟簽約儀式
與在第一代、第二代半導體材料及集成電路產業上的多年落后、很難追趕國際先進水平的形勢不同，我國在第三代半導體領域的研究工作一直緊跟世界前沿，工程技術水平和國際先進水平差距不大，已經發展到了從跟蹤模仿到并駕齊驅、進而可能在部分領域獲得領先和比較優勢的階段，并且有機會實現超越。
作為第三代半導體材料的典型代表，碳化硅（SiC）受到半導體下游企業的青睞，其具有良好的物理化學性能，具有寬帶隙，高擊穿電場、高電子漂移速度、高熱導率、高熱穩定性和化學性穩定等優良特性。利用碳化硅單晶襯底和外延材料制作的電力電子器件可以在Si基器件難以達到的高電壓、大電流、高頻率環境下工作，性能優勢非常突出，產業前景廣闊。
粉體圈 作者：啟東
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