3月20日，牛津儀器（Oxford Instruments plc）公布了將在2023年實(shí)現(xiàn)等離子拋光資格認(rèn)證和量產(chǎn)計(jì)劃，這意味著向目前碳化硅晶圓的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）體系發(fā)出正式挑戰(zhàn)，向工藝替代邁出了關(guān)鍵一步。

時(shí)間回到去年8月，牛津儀器旗下等離子技術(shù)公司（Plasma Technology）推出一種新型SiC外延襯底干法蝕刻（PPDE）工藝，它不僅更清潔、環(huán)保、低成本，并且更穩(wěn)定，可替代目前通用的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝。Plasma Technology的戰(zhàn)略業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)評(píng)論說(shuō)，“選擇等離子表面處理來(lái)生產(chǎn)SiC外延襯底是一個(gè)非常有吸引力的提議，作為一種與當(dāng)前方法相比的技術(shù)，它以更低的成本提供更好的結(jié)果，并實(shí)現(xiàn)了SiC器件的環(huán)境可持續(xù)生產(chǎn)。”

等離子干法蝕刻（PPDE）工藝示意圖

在向行業(yè)扔出爆炸性通告后，牛津儀器開(kāi)始向幾家領(lǐng)先制造商推薦并推動(dòng)該工藝的鑒定工作，目前已經(jīng)證實(shí)牛津儀器的等離子拋光技術(shù)可以有效地應(yīng)用于改善碳化硅 (SiC) 襯底表面并減少多個(gè)生產(chǎn)過(guò)程的次表面損傷，正在與商業(yè)合作伙伴在 SiC 器件制造供應(yīng)鏈的多個(gè)節(jié)點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試，例如作為 boule 生長(zhǎng)、外延前和外延后以及外延層之間，以滿(mǎn)足更高電壓的器件要求。

牛津儀器表示，SiC供應(yīng)鏈的主要客戶(hù)對(duì)等離子拋光的市場(chǎng)興趣濃厚，公司正處于與多家公司進(jìn)行資格認(rèn)證的后期階段，并正在加快等離子拋光模塊的生產(chǎn)。牛津儀器等離子技術(shù)全球銷(xiāo)售和營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)Bas Derksema評(píng)論，“我們新的Severn Beach生產(chǎn)和研究設(shè)施將在未來(lái)12個(gè)月內(nèi)上線(xiàn)，將我們的生產(chǎn)能力提高50%以上，應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室空間增加一倍，這將使我們能夠繼續(xù)開(kāi)發(fā)市場(chǎng)領(lǐng)先的創(chuàng)新解決方案，并提高產(chǎn)能提高我們的生產(chǎn)能力以應(yīng)對(duì)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。”

編譯整理 YUXI

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